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2N5629中文资料

  • 大小：122.88KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：Silicon NPN Power Transistors
  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：16 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：25
  • 最大工作频率：1 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-3
  • 封装：Sleeve
  • 集电极连续电流：0.45 A
  • 最小工作温度：- 60 C
  • 功率耗散：200 W
  • 工厂包装数量：20

2N5629供应商

更新时间:2022-12-30 20:47:13
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